Logo ČVUT
ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE
STUDIJNÍ PLÁNY
2019/2020

Moderní výkonové polovodičové součástky A INTEGROVANÉ OBVODY

Přihlášení do KOSu pro zápis předmětu Zobrazit rozvrh
Kód Zakončení Kredity Rozsah Jazyk výuky
XP34APD ZK 4 2P+2C česky
Přednášející:
Jan Vobecký (gar.)
Cvičící:
Jan Vobecký (gar.)
Předmět zajišťuje:
katedra mikroelektroniky
Anotace:

Fyzikální a technologické principy, trendy vývoje. Parametry a aplikace. Struktury bipolární, MOS, BiMOS, diody (bipol., Schottkyho), tranzistory (bipol., MOS, IGBT), tyristory (vč. GTO, MCT). Sekundární průraz, mechanismus, mezní hodnoty parametrů. Smart-power a vysokonapěťové IO, činnost, principy, aplikace.

Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/XP34APD

Požadavky:

-

Osnova přednášek:

1. Fyzikální a technologické struktury

2. Trendy vývoje

3. Parametry a aplikace

4. Struktury bipolární

5. Struktury MOS

6. Struktury BiMOS

7. Diody PN

8. Schottkyho diody

9. Bipolární tranzistory

10. Tranzistory MOS a IGBT

11. Tyristory (včetně GTO a GCT)

12. Sekundární průraz, mechanismus, bezpečná oblast

13. Smart power součástky

14. Vysokonapěťové IO, činnost, principy, aplikace

Osnova cvičení:

n

Cíle studia:
Studijní materiály:

B. J. Baliga, Power Semiconductor Devices, PWS Publishing Company, 2000

Poznámka:
Další informace:
https://moodle.fel.cvut.cz/course/view.php?id=3730
Rozvrh na zimní semestr 2019/2020:
Rozvrh není připraven
Rozvrh na letní semestr 2019/2020:
Rozvrh není připraven
Předmět je součástí následujících studijních plánů:
Platnost dat k 22. 9. 2019
Aktualizace výše uvedených informací naleznete na adrese http://bilakniha.cvut.cz/cs/predmet11433204.html