Logo ČVUT
ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE
STUDIJNÍ PLÁNY
2023/2024

Fyzika polovodičů

Přihlášení do KOSu pro zápis předmětu Zobrazit rozvrh
Kód Zakončení Kredity Rozsah
11POLO ZK 4 4P+0C
Garant předmětu:
Zdeněk Potůček
Přednášející:
Zdeněk Potůček
Cvičící:
Předmět zajišťuje:
katedra inženýrství pevných látek
Anotace:

Předmět podává přehled základních fyzikálních jevů využívaných při konstrukci a činnosti polovodičových součástek. Podrobně je vysvětlena mikroskopická podstata elektrických, galvanomagnetických, termoelektrických, termomagnetických, fotoelektrických a optických vlastností vlastních i příměsových polovodičů s ohledem na možnosti jejich cíleného ovlivňování a optimalizace. Velká pozornost je věnována také objasnění vlastností P-N přechodu a kontaktu kov - polovodič.

Požadavky:
Osnova přednášek:

1. Základní vlastnosti a typy polovodičů.

2. Energetická pásová struktura polovodičů, kladně nabité díry, efektivní hmotnost.

3. Statistika nosičů náboje v termodynamické rovnováze, obsazovací faktory energetických hladin příměsí, intrinzický, dotovaný, kompenzovaný a degenerovaný polovodič.

4. Transport náboje a energie v nedegenerovaných polovodičích, Boltzmannova transportní rovnice, relaxační doba, elektrická vodivost, Hallův jev, magnetoodporový jev.

5. Mechanismy rozptylu v polovodičích, rozptyl na akustických fononech a ionizovaných příměsích, teplotní závislost doby života a pohyblivosti nosičů náboje.

6. Difúze nosičů náboje, nehomogenní systémy, Einsteinovy vztahy.

7. Termoelektrický jev, Peltierův jev, termomagnetické jevy.

8. Injekce a rekombinace volných nosičů náboje, ambipolární pohyblivost, difúzní délka minoritních nosičů náboje.

9. Optická absorpce polovodičů, absorpce excitonů a příměsí.

10. Hluboké příměsi, elektronové a děrové pasti, rekombinační centra.

11. Fotoelektrické vlastnosti polovodičů, mechanismy a dynamika fotoelektrické vodivosti, fotovoltaické jevy, generace světla v polovodičích - elektroluminiscence.

12. Strmý P-N přechod v termodynamické rovnováze, voltampérová charakteristika P-N přechodu, kapacita P-N přechodu, pozvolný P N přechod.

13. Kontakt kov - polovodič, Schottkyho kontakt, voltampérová charakteristika Schottkyho kontaktu, transport elektronů kontaktem, ohmický kontakt.

Osnova cvičení:
Cíle studia:
Studijní materiály:

Povinná literatura:

[1] Grundmann, M.: The Physics of Semiconductors: An Introduction Including Nanophysics and Applications, 3rd edition, 2018, Springer International Publishing.

[2] Yu, P.Y., Cardona, M.: Fundamentals of Semiconductors: Physics and Materials Properties, 4th edition, 2010, Springer - Verlag.

[3] Frank, H.: Fyzika a technika polovodičů, 1990, SNTL.

Doporučená literatura:

[4] Anderson, B.L., Anderson, R.L.: Fundamentals of Semiconductor Devices, 2nd edition, 2017, McGraw Hill.

[5] Seeger, K.: Semiconductor Physics: An Introduction, 9th edition, 2010, Springer - Verlag.

Poznámka:
Rozvrh na zimní semestr 2023/2024:
Rozvrh není připraven
Rozvrh na letní semestr 2023/2024:
Rozvrh není připraven
Předmět je součástí následujících studijních plánů:
Platnost dat k 16. 7. 2024
Aktualizace výše uvedených informací naleznete na adrese https://bilakniha.cvut.cz/cs/predmet6371906.html