Výkonové součástky v elektrotechnice

Podmínkou zápisu na předmět B1M13VSE je, že student si nejpozději ve stejném semestru zapsal příslušný počet předmětů ze skupiny BEZBM

Garant předmětu:

Václav Papež

Přednášející:

Václav Papež

Cvičící:

Jiří Hájek, Martin Horák, Václav Papež

Předmět zajišťuje:

katedra elektrotechnologie

Anotace:

Výkonové polovodičové součástky (diody, tyristory, MOSFET, IGBT) a integrované struktury (moduly). Struktura, funkce, charakteristiky a parametry, podmínky pro spolehlivý provoz. Pasivní součástky pro výkonovou elektroniku. Bezindukční spojení a rozvody. Propojovací vodiče.

Požadavky:

Pro získání zápočtu se student účastní seminářů, dokumentuje výsledky měření, odevzdá protokol z jedné laboratorní úlohy

Osnova přednášek:

1. Polovodičové diody.

2. Proudem řízené součástky.

3. Napěťove řízené součástky.

4. Spínací součástky tyristorového typu

5. Rychlé spínací a vysokofrekvenční součástky

6. Chlazení a proudová zatížitelnost součástek

7. Pasivní součástky rezistory

8. Pasivní součástky kondenzátory

9. Pasivní součástky indukčnosti a transformátory

10. Pasivní nelineární součástky

11. Obvody s rozloženými parametry

12. Součástky s rozloženými parametry, kabely a vedení

13. Elektromechanické součástky

14. Elektromagnetická kompatibilita ve výkonové elektronice

Osnova cvičení:

Výklad úloh

Teplotní závislost charakteristik výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT

Dynamické paramety polovodičových spínačů

Vliv zátěže na trajektorii pracovního bodu polovodičových spínačů

Výkonové zesilovače

Transientní tepelná impedance součástek a chladičů

Vlastnosti rezistorů a kondenzátorů při vysokých kmitočtech.

Vlastnosti VF cívek a transformátorů.

Obvody s rozloženými parametry

Přizpůsobení ve výkonových obvodech

Vysokofrekvenční a odrušovací filtry.

EMC - vyhodnocení rušení

Test

Zápočet

Cíle studia:

Studenti budou seznámeni s vlastnostmi záklasních elektronických součástek, jejich použitím v obvodech výkonové elektroniky

Studijní materiály:

Studijní literatura a studijní pomůcky

:

Benda, V., Papež, V. Komponenty výkonové elektroniky,Praha, ČVUT, 2006

Szendiuch, I.: Základy technologie mikroelektronických systémů, VUTIUM, Brno, 2006

Lutz J.et all: Semiconductor Power Devices: Physics, Charakteristics, Reliability, Springer 2011

Poznámka:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6l

Rozvrh na zimní semestr 2023/2024:

Rozvrh není připraven

Rozvrh na letní semestr 2023/2024:

	06:00–08:0008:00–10:0010:00–12:0012:00–14:0014:00–16:0016:00–18:0018:00–20:0020:00–22:0022:00–24:00
Po
Út	místnost T2:G1-121 Papež V. 11:00–12:30 (přednášková par. 1) Dejvice haly Laborator 121místnost T2:G1-121 Papež V. 12:45–14:15 (přednášková par. 1) Dejvice haly Laborator 121
St	místnost T2:E1-2 Papež V. 12:45–14:15 (přednášková par. 1) Dejvice haly Laborator L2
Čt
Pá

Předmět je součástí následujících studijních plánů:

• Elektrotechnika, energetika a management - Elektrické pohony 2018 (povinně volitelný předmět)
• Elektrotechnika, energetika a management - Elektroenergetika 2018 (povinně volitelný předmět)
• Elektrotechnika, energetika a management - Technologické systémy 2018 (povinně volitelný předmět)