Fyzika polovodičů 2

Garant předmětu:

Přednášející:

Cvičící:

Předmět zajišťuje:

katedra inženýrství pevných látek

Anotace:

Cílem přednášky je studenty seznámit se základními fyzikálními a technologickými aspekty problematiky polovodičů. Studenti získávají informace o pokročilých jevech v polovodičích, v polovodičových součástkách a v polovodičových tranzistorech.

Požadavky:

Absolvování předmětu fyzika polovodičů (v rozsahu předmětu POL1 na FJFI).

Osnova přednášek:

1. Reálný P-N přechod, voltampérová charakteristika reálného P-N přechodu.

2. Průraz přechodu P-N, Zenerův průraz, lavinový průraz.

3. Přechody typu PP+, NN+, heteropřechody.

4. Vlastnosti tenkých polovodičových vrstev, dvourozměrný elektronový plyn.

5. Vlastnosti povrchu polovodiče, povrchové stavy.

6. Vliv elektrického pole na rozložení volných nosičů náboje v polovodiči - struktura MIS, C-V charakteristika struktury MIS.

7. MOS transistory a tranzistory řízené elektrickým polem - MOSFET

8. Polovodičové diody - Zenerovy diody, Schottkyho diody, PIN diody, fotoelektrické diody, luminiscenční diody.

9. Polovodičové lasery.

10. Bipolární transistor, jiné typy transistorů.

11. Integrované obvody.

12. Polovodičové paměti.

Osnova cvičení:

Cíle studia:

Znalosti:

Základní znalosti fyziky polovodičů.

Schopnosti:

Pokročilé znalosti fyziky polovodičů a základy technologie výroby polovodičových materiálů.

Studijní materiály:

Povinná literatura:

[1]. H. Frank: Fyzika a technika polovodičů, SNTL 1990,

Doporučená literatura:

[2]. M.S.Sze, Kwok Kwok Ng: Physics of Semoconductors Devices, John Wiley and Sons, 2007.

Poznámka:

Další informace:

Pro tento předmět se rozvrh nepřipravuje

Předmět je součástí následujících studijních plánů: