Logo ČVUT
ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE
STUDIJNÍ PLÁNY
2018/2019

Fyzika polovodičů 1

Přihlášení do KOSu pro zápis předmětu Zobrazit rozvrh
Kód Zakončení Kredity Rozsah Jazyk výuky
11POL1 ZK 6 4 česky
Přednášející:
Zdeněk Potůček (gar.)
Cvičící:
Zdeněk Potůček (gar.)
Předmět zajišťuje:
katedra inženýrství pevných látek
Anotace:

Předmět podává přehled základních fyzikálních jevů využívaných při konstrukci a činnosti polovodičových součástek. Podrobně je vysvětlena mikroskopická podstata elektrických, galvanomagnetických, termoelektrických, termomagnetických, fotoelektrických a optických vlastností vlastních i příměsových polovodičů s ohledem na možnosti jejich cíleného ovlivňování a optimalizace. Velká pozornost je věnována také objasnění vlastností P-N přechodu a kontaktu kov - polovodič.

Požadavky:

Základní znalosti ze struktury pevných látek a teorie pevných latek.

Osnova přednášek:

1. Základní vlastnosti a typy polovodičů.

2. Energetická pásová struktura polovodičů, kladně nabité díry, efektivní hmotnost.

3. Statistika nosičů náboje v termodynamické rovnováze, obsazovací faktory energetických hladin příměsí, intrinzický, dotovaný, kompenzovaný a degenerovaný polovodič.

4. Transport náboje a energie v nedegenerovaných polovodičích, Boltzmannova transportní rovnice, relaxační doba, elektrická vodivost, Hallův jev, magnetoodporový jev.

5. Mechanismy rozptylu v polovodičích, rozptyl na akustických fononech a ionizovaných příměsích, teplotní závislost doby života a pohyblivosti nosičů náboje.

6. Difúze nosičů náboje, nehomogenní systémy, Einsteinovy vztahy.

7. Termoelektrický jev, Peltierův jev, termomagnetické jevy.

8. Injekce a rekombinace volných nosičů náboje, ambipolární pohyblivost, difúzní délka minoritních nosičů náboje.

9. Optická absorpce polovodičů, absorpce excitonů a příměsí.

10. Hluboké příměsi, elektronové a děrové pasti, rekombinační centra.

11. Fotoelektrické vlastnosti polovodičů, mechanismy a dynamika fotoelektrické vodivosti, fotovoltaické jevy, generace světla v polovodičích - elektroluminiscence.

12. Strmý P-N přechod v termodynamické rovnováze, voltampérová charakteristika P-N přechodu, kapacita P-N přechodu, pozvolný P N přechod.

13. Kontakt kov - polovodič, Schottkyho kontakt, voltampérová charakteristika Schottkyho kontaktu, transport elektronů kontaktem, ohmický kontakt.

Osnova cvičení:
Cíle studia:

Znalosti:

Objasnění mikroskopické podstaty elektrických, galvanomagnetických, termoelektrických, termomagnetických, fotoelektrických a optických vlastností vlastních i příměsových polovodičů, přechodu P-N a kontaktu kov - polovodič.

Schopnosti:

Volba vhodného fyzikálního modelu pro popis polovodiče, který umožňuje předvídat jeho chování za daných podmínek a cíleně ovlivňovat jeho vlastnosti.

Studijní materiály:

Odborná literatura:

Základní:

[1] H. Frank: Fyzika a technika polovodičů, 1990, SNTL, Praha.

Doporučená:

[2]. B. Sapoval, C. Hermann: Physics of semiconductors, 2003, Springer - Verlag, Berlin.

[3]. K. Seeger, Semiconductor physics, 1973, Springer - Verlag, Wien.

Poznámka:
Rozvrh na zimní semestr 2018/2019:
Rozvrh není připraven
Rozvrh na letní semestr 2018/2019:
Rozvrh není připraven
Předmět je součástí následujících studijních plánů:
Platnost dat k 23. 5. 2019
Aktualizace výše uvedených informací naleznete na adrese http://bilakniha.cvut.cz/cs/predmet11290105.html