Components of Power Electrical Engineering

Předmět je náhradou za:

Komponenty výkonové elektrotechniky (X13KVE)

Přednášející:

Cvičící:

Předmět zajišťuje:

katedra elektrotechnologie

Anotace:

Výkonové polovodičové součástky (diody, tyristory, MOSFET, IGBT) a integrované struktury (moduly). Struktura, funkce, charakteristiky a parametry, podmínky pro spolehlivý provoz. Pasivní součástky pro výkonovou elektroniku. Bezindukční spojení a rozvody. Propojovací vodiče. Přepěťové a nadproudové ochrany. Provozní spolehlivost komponentů a zařízení.

Požadavky:

Student musí získat nejprve zápočet, aby byl připuštěn ke zkoušce

Osnova přednášek:

1.Úvod do problematiky.

2.Základy technologie polovodičových součástek

3.Výkonové diody

4.Proudem řízené součástky (výkonové tranzistory, tyristory)

5.Moderní součástky tyristorového typu (GTO, IGCT, LTT)

6.Napěťově řízené součástky (MOSFET, IGBT)

7.Výkonové integrované obvody a moduly (PIC, IPM)

8.Chlazení a proudová zatížitelnost součástek

9.Pouzdra a chladiče výkonových součástek

10.Přepěťové a nadproudové ochrany

11.Pasivní součástky

12.Spojovací vodiče

13.Kabely a vedení

14.Podmínky spolehlivého provozu

Osnova cvičení:

1.Organizační záležitosti, úvod do problematiky

2.Výklad první skupiny laboratorních úloh s ukázkami

3.Výklad druhé skupiny laboratorních úloh s ukázkami

4.Výklad třetí skupiny laboratorních úloh s ukázkami

5.Výklad čtvrté skupiny laboratorních úloh s ukázkami

6.Měření teplotní závislosti závěrných charakteristik tyristorů a diod

7.Měření teplotní závislosti propustných charakteristik tyristorů a diod

8.Měření dynamických procesů při závěrném zotavení diod

9.Měření teplotní závislosti charakteristik výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT

10.Měření dynamických parametrů polovodičových spínačů

11.Měření vlivu zátěže na trajektorii pracovního bodu polovodičových spínačů

12.Měření parametrů pasivních součástek

13.Měření transientní tepelné impedance součástek a chladičů

14.Zápočet

Cíle studia:

Studijní materiály:

1.Benda, V., Papež, V. Výroba silnoproudých zařízení II. Praha: ČVUT. 2001

2.Benda, V., Gowar, J., Grant, G. A. Power Semiconductor Devices. Chichester: J.Wiley & Sons. 1999

3.Benda, V., Papež, V.: Komponenty výkonové elektrotechniky - laboratorní cvičení, Praha, ČVUT, 2005

Poznámka:

Další informace:

Pro tento předmět se rozvrh nepřipravuje

Předmět je součástí následujících studijních plánů:

• Heavy-current Engineering- structured studies (povinný předmět)