Komponenty výkonové elektrotechniky

Prerekvizita:

Teorie elektromagnetického pole (X17TEP)
Elektrické obvody 1 (X31EO1)
Elektrické obvody 2 (X31EO2)
Elektronika (X34ELE)

Přednášející:

Václav Papež, Vítězslav Benda (gar.)

Cvičící:

Václav Papež, Vítězslav Benda (gar.), Filip Cingroš, Jiří Hájek, Tomáš Hron, Pavel Hrzina

Předmět zajišťuje:

katedra elektrotechnologie

Anotace:

Výkonové polovodičové součástky (diody, tyristory, MOSFET, IGBT) a integrované struktury (moduly). Struktura, funkce, charakteristiky a parametry, podmínky pro spolehlivý provoz. Pasivní součástky pro výkonovou elektroniku. Bezindukční spojení a rozvody. Propojovací vodiče. Přepěťové a nadproudové ochrany. Provozní spolehlivost komponentů a zařízení.

Prerekvizity X13EO1, X13EO2, X13ELE, X17TEP

Požadavky:

Student musí získat nejprve zápočet, aby byl připuštěn ke zkoušce

Osnova přednášek:

1.Uvod do problematiky.

2.Základy technologie polovodicovych soucástek

3.Vykonové diody

4.Proudem rízené soucástky (vykonové tranzistory, tyristory)

5.Moderní soucástky tyristorového typu (GTO, IGCT, LTT)

6.Napetove rízené soucástky (MOSFET, IGBT)

7.Vykonové integrované obvody a moduly (PIC, IPM)

8.Chlazení a proudová zatízitelnost soucástek

9.Pouzdra a chladiče výkonovych součástek

10.Přepětové a nadproudové ochrany

11.Pasivní soucástky

12.Spojovací vodice

13.Kabely a vedení

14.Podmínky spolehlivého provozu

Osnova cvičení:

1.Organizační záležitosti, úvod do problematiky

2.Výklad první skupiny laboratorních úloh s ukázkami

3.Měření na výkonovém usměrňovači

4.Měření teplotní závislosti závěrných charakteristik tyristorů a diod

5.Měření teplotní závislosti propustných charakteristik tyristorů a diod

6.Měření dynamických procesů při závěrném zotavení diod

7.Měření teplotní závislosti charakteristik výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT

8.Výklad druhé skupiny laboratorních úloh s ukázkami

9.Měření rušivého vyzařování po vedení a odrušovacích prvků

10.Měření dynamických parametrů polovodičových spínačů

11.Měření vlivu zátěže na trajektorii pracovního bodu polovodičových spínačů

12.Měření parametrů pasivních součástek

13.Měření transientní tepelné impedance součástek a chladičů

14.Zápočet

Cíle studia:

Studijní materiály:

1.Benda, V., Papež, V. Výroba silnoproudých zařízení II. Praha: ČVUT. 2001

2.Benda, V., Gowar, J., Grant, G. A. Power Semiconductor Devices. Chichester: J.Wiley & Sons. 1999

3.Benda, V., Papež, V.: Komponenty výkonové elektrotechniky - laboratorní cvičení, Praha, ČVUT, 2005

Poznámka:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14+6

Typ cvičení: s, l

Předmět je nabízen také v anglické verzi.

Rozvrh na zimní semestr 2011/2012:

Rozvrh není připraven

Rozvrh na letní semestr 2011/2012:

	06:00–08:0008:00–10:0010:00–12:0012:00–14:0014:00–16:0016:00–18:0018:00–20:0020:00–22:0022:00–24:00
Po
Út
St	místnost T2:E1-3c Papež V. 16:15–17:45 (přednášková par. 1) Dejvice haly Laborator L3místnost T2:E1-3c Hájek J. Papež V. 18:00–19:30 (přednášková par. 1 paralelka 103) Dejvice haly Laborator L3
Čt
Pá

Předmět je součástí následujících studijních plánů:

• Silnoproudá elektrotechnika- strukturované studium (povinný předmět)