Výkonové součástky v elektrotechnice
Kód | Zakončení | Kredity | Rozsah | Jazyk výuky |
---|---|---|---|---|
BD1M13VSE | Z,ZK | 5 | 14KP+6KL | česky |
- Garant předmětu:
- Přednášející:
- Cvičící:
- Předmět zajišťuje:
- katedra elektrotechnologie
- Anotace:
-
Výkonové polovodičové součástky (diody, tyristory, MOSFET, IGBT) a integrované struktury (moduly). Struktura, funkce, charakteristiky a parametry, podmínky pro spolehlivý provoz. Pasivní součástky pro výkonovou elektroniku. Bezindukční spojení a rozvody. Propojovací vodiče.
- Požadavky:
-
Pro získání zápočtu se student účastní seminářů, dokumentuje výsledky měření, odevzdá protokol z jedné laboratorní úlohy
- Osnova přednášek:
-
1. Polovodičové diody
2. Proudem řízené součástky
3. Napěťove řízené součástky
4. Spínací součástky tyristorového typu
5. Rychlé spínací a vysokofrekvenční součástky
6. Chlazení a proudová zatížitelnost součástek
7. Pasivní součástky rezistory
8. Pasivní součástky kondenzátory
9. Pasivní součástky indukčnosti a transformátory
10. Pasivní nelineární součástky
11. Obvody s rozloženými parametry
12. Součástky s rozloženými parametry, kabely a vedení
13. Elektromechanické součástky
14. Elektromagnetická kompatibilita ve výkonové elektronice
- Osnova cvičení:
-
Výklad úloh
Teplotní závislost charakteristik výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT
Dynamické paramety polovodičových spínačů
Vliv zátěže na trajektorii pracovního bodu polovodičových spínačů
Výkonové zesilovače
Transientní tepelná impedance součástek a chladičů
Vlastnosti rezistorů a kondenzátorů při vysokých kmitočtech.
Vlastnosti VF cívek a transformátorů.
Obvody s rozloženými parametry
Přizpůsobení ve výkonových obvodech
Vysokofrekvenční a odrušovací filtry.
EMC - vyhodnocení rušení
Test
Zápočet
- Cíle studia:
-
Studenti budou seznámeni s vlastnostmi záklasních elektronických součástek, jejich použitím v obvodech výkonové elektroniky
- Studijní materiály:
-
Studijní literatura a studijní pomůcky
Benda, V., Papež, V. Komponenty výkonové elektroniky,Praha, ČVUT, 2006
Lutz J.et all: Semiconductor Power Device-Physics, Charakteristics, Reliability, Springer 2012
Szendiuch, I.: Základy technologie mikroelektronických systémů, VUTIUM, Brno, 2006
- Poznámka:
-
Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6l
- Další informace:
- Pro tento předmět se rozvrh nepřipravuje
- Předmět je součástí následujících studijních plánů:
-
- Elektrotechnika, energetika a management - Elektroenergetika 2018 (povinně volitelný předmět)
- Elektrotechnika, energetika a management - Technologické systémy 2018 (povinně volitelný předmět)
- Elektrotechnika, energetika a management - Elektrické pohony 2018 (povinně volitelný předmět)