Mikrovlnné obvody a subsystémy
Kód | Zakončení | Kredity | Rozsah | Jazyk výuky |
---|---|---|---|---|
AD2M17MOS | Z,ZK | 5 | 14+6c | česky |
- Vztahy:
- Předmět AD2M17MOS může při kontrole studijních plánů nahradit předmět XD17PME
- Předmět je ekvivalentní s AE2M17MOS,A2M17MOS,BE2M17MIO,B2M17MIO .
- Garant předmětu:
- Přednášející:
- Cvičící:
- Předmět zajišťuje:
- katedra elektromagnetického pole
- Anotace:
-
Předmět poskytuje široké teoretické i praktické poznatky jak pro vědecko výzkumnou práci tak i pro profesionální praxi v oblasti vf. a mikrovlnné techniky. Seznamuje studenty s vysokofrekvenčními a mikrovlnnými pasivními a aktivními obvody realizovanými v planárních a monolitických strukturách - vedeními, směrovými členy, děliči, rezonančními obvody, filtry a CAD nástroji pro návrh vysokofrekvenčních a mikrovlnných obvodů. Dále jsou obsahem mikrovlnné tranzistory, bipolární, MESFET a HEMPT, nízkošumové, výkonové, úzkopásmové a širokopásmové zesilovače, mikrovlnné diodové a tranzistorové oscilátory, detektory, směšovače a frekvenční násobiče.
Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/AD2M17MOS
- Požadavky:
-
Smithův diagram a impedanční přizpůsobování, vlastnosti elektromagnetické vlny na vedení, s-parametry
Během semestru studenti zpracovávají individuální projekty. Termín odevzdání projektů je 2 týdny po zadání. Včasné odevzdání projektů je u zkoušky zhodnoceno zlepšením známky o jeden stupeň.Bezchybné vypracování všech projektů.
- Osnova přednášek:
-
1. Planární a monolitické technologie
2. Vedení v planárních a monolitických strukturách
3. Vázaná vedení a směrový vazební člen
4. Hybridní členy - Langeho, dvoj a trojpříčkový hybridní člen, kruhový, de Ronde
5. Děliče výkonu pro stejný a různý dělicí poměr
6. Mikrovlnné planární rezonanční obvody a filtry
7. Struktury tranzistorů bipolárních, MESFET a HEMPT, definice zisků, stabilita
8. Nízkošumové a výkonové zesilovače
9. Úzkopásmové a širokopásmové zesilovače
10. Parametry vf. nelineárních obvodů, šum, intermodulace, křížová modulace, komprese
11. Mikrovlnné diodové a tranzistorové oscilátory
12. Vf. a mikrovlnné detektory a směšovače
13. Diodové a tranzistorové násobiče kmitočtu, limitery
14.Mikrovlnné subsystémy komunikačních soustav
- Osnova cvičení:
-
1.CAD nástroje, Microwave Office, simulace připojení konektoru na mikropáskové vedení
2. Projekt č. 1. Planární jednoduchá vedení
3. Projekt č. 2. Vázaná vedení, směrový vazební člen
4. Projekt č. 3. Hybridní členy
5. Projekt č. 4. Děliče výkonu
6. Projekt č. 5. Planární filtry I.
7. Projekt č. 6. Planární filtry II.
8. Projekt č. 7. Nízkošumový zesilovač
9. Projekt č. 8. Výkonový zesilovač
10. Projekt č. 9. Tranzistorový oscilátor
11. Projekt č. 10 Násobič kmitočtu
12. Práce na projektech
13. Práce na projektech
14. Práce na projektech, závěrečná kontrola
- Cíle studia:
-
Seznámení s vysokofrekvenčními a mikrovlnnými pasivními a aktivními obvody realizovanými v planárních a monolitických strukturách.
- Studijní materiály:
-
Hoffmann K., Planární mikrovlnné obvody, skriptum ČVUT FEL
Hoffmann k., Hudec P., Sokol V., Aktivní mikrovlnné obvody, skriptum ČVUT FEL
- Poznámka:
-
Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6c
- Další informace:
- https://moodle.fel.cvut.cz/courses/AD2M17MOS
- Pro tento předmět se rozvrh nepřipravuje
- Předmět je součástí následujících studijních plánů: