Konstrukce polovodičových součástek

Garant předmětu:

Přednášející:

Cvičící:

Předmět zajišťuje:

katedra inženýrství pevných látek

Anotace:

Přednáška se zabývá metodami úpravy polovodičivého materiálu na přípravu polovodičových součástek.

Požadavky:

Osnova přednášek:

1. Růst křemíkových monokrystalů, struktura křemíku.

2. Typy růstových metod, zonální rafinace.

3. Příprava polovodičových destiček.

4. Difúzní procesy, iontová implantace.

5. Růst epitaxních vrstev, určování tloušťky tenkých vrstev.

6. Růst vrstev kysličníku křemičitého a nitridu křemíku.

7. Fotolitografické metody

8. MOS struktury, bipolární a FET transistory.

9. Monolitické integrované obvody, polovodičové paměti.

10. Polovodičové detektory záření.

Osnova cvičení:

Cíle studia:

Znalosti:

Prohloubení znalostí polovodičových materiálů.

Schopnosti:

Znalost principu konstrukce polovodičových součástek používaných v praktických aplikacích.

Studijní materiály:

Povinná literatura:

[1]. H. Frank: Fyzika a technika polovodičů, SNTL, Praha, 1990.

Doporučená literatura:

[2]. B. Sapoval, C. Hermann: Physics of semiconductors, Springer - Verlag, Berlin, 2003.

[3]. K. Seeger, Semiconductor physics, Springer - Verlag, Wien, 1973.

Poznámka:

Další informace:

Pro tento předmět se rozvrh nepřipravuje

Předmět je součástí následujících studijních plánů: