Konstrukce polovodičových součástek

Přednášející:

Bruno Sopko (gar.)

Cvičící:

Předmět zajišťuje:

katedra inženýrství pevných látek

Anotace:

Přednáška se zabývá metodami úpravy polovodičivého materiálu na přípravu polovodičových součástek.

Požadavky:

Osnova přednášek:

1. Růst křemíkových monokrystalů, struktura křemíku.

2. Typy růstových metod, zonální rafinace.

3. Příprava polovodičových destiček.

4. Difúzní procesy, iontová implantace.

5. Růst epitaxních vrstev, určování tloušťky tenkých vrstev.

6. Růst vrstev kysličníku křemičitého a nitridu křemíku.

7. Fotolitografické metody

8. MOS struktury, bipolární a FET transistory.

9. Monolitické integrované obvody, polovodičové paměti.

10. Polovodičové detektory záření.

Osnova cvičení:

Cíle studia:

Znalosti:

Prohloubení znalostí polovodičových materiálů.

Schopnosti:

Znalost principu konstrukce polovodičových součástek používaných v praktických aplikacích.

Studijní materiály:

Povinná literatura:

[1]. H. Frank: Fyzika a technika polovodičů, SNTL, Praha, 1990.

Doporučená literatura:

[2]. B. Sapoval, C. Hermann: Physics of semiconductors, Springer - Verlag, Berlin, 2003.

[3]. K. Seeger, Semiconductor physics, Springer - Verlag, Wien, 1973.

Poznámka:

Rozvrh na zimní semestr 2011/2012:

Rozvrh není připraven

Rozvrh na letní semestr 2011/2012:

Rozvrh není připraven

Předmět je součástí následujících studijních plánů: