Logo ČVUT
ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE
STUDIJNÍ PLÁNY
2023/2024
UPOZORNĚNÍ: Jsou dostupné studijní plány pro následující akademický rok.

Výroba elektrotechnických součástek

Přihlášení do KOSu pro zápis předmětu Zobrazit rozvrh
Kód Zakončení Kredity Rozsah Jazyk výuky
B1B13VES Z,ZK 6 2P+2L česky

Podmínkou zápisu na předmět B1B13VES je, že student si nejpozději ve stejném semestru zapsal příslušný počet předmětů ze skupiny BEZBM

Garant předmětu:
Václav Papež
Přednášející:
Václav Papež
Cvičící:
Lukáš Gdula, Jiří Hájek, Martin Horák, Václav Papež, Anna Pražanová
Předmět zajišťuje:
katedra elektrotechnologie
Anotace:

Technologie elektronických součástek, jejich označování, standardnizace. Základní užívané technologie. Typy součástek: rezistory, kondenzátory, vf. cívy a transformátory. Životní cykly součástek, ekologické aspekty výroby součástek.

Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/AD1M13VES

Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/A1M13VES

Požadavky:

Pro získání zápočtu se student účastní seminářů, dokumentuje výsledky měření, odevzdá protokol z jedné laboratorní úlohy, získá minimálmě 50% bodů dosažitelného počtu v závěrečném testu

Osnova přednášek:

1. Vlastnosti elektrických obvodů

2. Technologie elektronických součástek, standardizace. Řady vybraných hodnot.

3. Konstrukce pevných rezistorů.

4. Vlastnosti pevných rezistorů různých konstrukcí.

5. Nelineární a proměnné rezistory.

6. Kondenzátory svitkové, keramické, elektrolytické.

7. Vlastnosti kondenzátorů, porovnání vlastností kondenzátorů různých konstrukcí.

8. Součástky s indukčností, VF cívky, tlumivky.

9. Transformátory - NF/VF, impulzní.

10. Součástky s rozloženými parametry, kabely a vedení.

11. Polovodičové diody, PIN a Schottkyho diody. Statické a dynamické parametry, charakteristiky.

12. Proudem řízené součástky, bipolární tranzistory, statické a dynamické parametry a charakteristiky.

13. Tyristory, statické a dynamické parametry a charakteristiky.

14. Tranzistory FET, MOSFET, IGBT. Statické a dynamické parametry a charakteristiky.

Osnova cvičení:

1. Výklad úloh 1

2. Vlastnosti rezistorů při vysokých kmitočtech.

3. Nelinearita a šum rezistorů, nelineární rezistory.

4. Vlastnosti kondenzátorů při vysokých kmitočtech.

5. Feroelektrické kondenzátory.Elektrolytické kondenzátory, střadače elektrického náboje

6. VF cívky.

7. Výklad úloh 2

8. Impulzní a vysokofrekvenční transformátory

9. Teplotní závislost charakteristik diod, výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT

10. Součástky s rozloženými parametry

12. Polovodičové spínače

13. Zesilovače A,B.C

14. Test, zápočet

Cíle studia:

Studenti budou seznámeni s technologií výroby elektronických součástek, jejich vlastnostmi a metodami testování kvality součástek.

Studijní materiály:

Benda, V., Papež, V. Komponenty výkonové elektroniky, Praha, ČVUT, 2006

Lutz J.et all: Semiconductor Power Dewices: Phisics, Charakteristics, Reliability, Springer 2011

Szendiuch, I.: Základy technologie mikroelektronických systémů, VUTIUM, Brno, 2006

Poznámka:
Rozvrh na zimní semestr 2023/2024:
Rozvrh není připraven
Rozvrh na letní semestr 2023/2024:
06:00–08:0008:00–10:0010:00–12:0012:00–14:0014:00–16:0016:00–18:0018:00–20:0020:00–22:0022:00–24:00
Po
Út
místnost T2:C3-51
Papež V.
09:15–10:45
(přednášková par. 1)
Dejvice
T2:C3-51
St
Čt
místnost T2:E1-3c

07:30–09:00
(přednášková par. 1)
Dejvice haly
Laborator L3
místnost T2:E1-3c

09:15–10:45
(přednášková par. 1)
Dejvice haly
Laborator L3
místnost T2:E1-3c

11:00–12:30
(přednášková par. 1)
Dejvice haly
Laborator L3
místnost T2:E1-3c

14:30–16:00
(přednášková par. 1)
Dejvice haly
Laborator L3
místnost T2:E1-3c

16:15–17:45
(přednášková par. 1)
Dejvice haly
Laborator L3

Předmět je součástí následujících studijních plánů:
Platnost dat k 18. 4. 2024
Aktualizace výše uvedených informací naleznete na adrese https://bilakniha.cvut.cz/cs/predmet5581606.html