Logo ČVUT
ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE
STUDIJNÍ PLÁNY
2019/2020

Moderní komponenty výkonové elektroniky

Předmět není vypsán Nerozvrhuje se
Kód Zakončení Kredity Rozsah Jazyk výuky
BD0M13MKV Z,ZK 5 14KP+6KL česky
Přednášející:
Cvičící:
Předmět zajišťuje:
katedra elektrotechnologie
Anotace:

Výkonové polovodičové součástky (diody, tyristory, MOSFET, IGBT) a integrované struktury (moduly). Struktura, funkce, charakteristiky a parametry, podmínky pro spolehlivý provoz. Sériové a paralelní řazení součástek Provozní spolehlivost komponentů a zařízení.

Požadavky:

Student musí získat nejprve zápočet, aby byl připuštěn ke zkoušce.

Osnova přednášek:

1. Úvod do problematiky. Základní fyzikální principy.

2. Polovodiče pro VPS (Si, GaAs, SiC) a jejich parametry.

3. Výkonové diody PIN. Aplikačně specifické diody s rychlou komutací.

4. Schottkyho diody. Kombinované diody.

5. BJT. Tyristor.

6. Moderní součástky tyristorového typu (GTO, IGCT).

7. Výkonový MOSFET (VD MOS, T MOS). SJ MOS

8. IGBT. PT a NPT struktury.

9. Výkonové součástky pro vysoké frekvence. RF LDMOS, HJT.

10. Výkonové integrované obvody (PIC). Výkonové moduly (IPM).

11. Chlazení a proudová zatížitelnost součástek.

12. Pouzdra a chladiče výkonových součástek.

13. Sériové a paralelní řazení součástek.

14. Podmínky spolehlivého provozu ve výkonových měničích.

Osnova cvičení:

1. Organizační záležitosti, úvod do problematiky

2. Výklad první skupiny laboratorních úloh s ukázkami

3. Výklad druhé skupiny laboratorních úloh s ukázkami

4. Výklad třetí skupiny laboratorních úloh s ukázkami

5. Výklad čtvrté skupiny laboratorních úloh s ukázkami

6. Měření teplotní závislosti závěrných charakteristik tyristorů a diod

7. Měření teplotní závislosti propustných charakteristik tyristorů a diod

8. Měření dynamických procesů při závěrném zotavení diod

9. Měření teplotní závislosti charakteristik výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT

10. Měření dynamických parametrů polovodičových spínačů

11. Měření vlivu zátěže na trajektorii pracovního bodu polovodičových spínačů

12. Měření parametrů pasivních součástek

13. Měření transientní tepelné impedance součástek a chladičů

14. Zápočet

Cíle studia:

Seznámit studenty se strukturou, funkcí, základními parametry moderních výkonových polovodičových součástek.

Studijní materiály:

1. Benda, V., Papež, V. Výroba silnoproudých zařízení II. Praha: ČVUT. 2001.

2. Benda, V., Gowar, J., Grant, G. A. Power Semiconductor Devices. Chichester: J.Wiley & Sons. 1999.

3. Benda, V., Papež, V.: Komponenty výkonové elektrotechniky - laboratorní cvičení, Praha, ČVUT, 2005.

4. Vobecký, J., Záhlava, V. Elektronika - součástky a obvody, principy a příklady. Praha: Grada. 2000.

Poznámka:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6l

Další informace:
https://moodle.fel.cvut.cz/courses/A0M13MKV
Pro tento předmět se rozvrh nepřipravuje
Předmět je součástí následujících studijních plánů:
Platnost dat k 17. 1. 2020
Aktualizace výše uvedených informací naleznete na adrese http://bilakniha.cvut.cz/cs/predmet4627306.html