Logo ČVUT
ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE
STUDIJNÍ PLÁNY
2019/2020

Výkonové součástky v elektrotechnice

Přihlášení do KOSu pro zápis předmětu Zobrazit rozvrh
Kód Zakončení Kredity Rozsah Jazyk výuky
B1M13VSE Z,ZK 5 2P+2L česky
Korekvizita:
Přednášející:
Václav Papež (gar.)
Cvičící:
Václav Papež (gar.)
Předmět zajišťuje:
katedra elektrotechnologie
Anotace:

Výkonové polovodičové součástky (diody, tyristory, MOSFET, IGBT) a integrované struktury (moduly). Struktura, funkce, charakteristiky a parametry, podmínky pro spolehlivý provoz. Pasivní součástky pro výkonovou elektroniku. Bezindukční spojení a rozvody. Propojovací vodiče.

Požadavky:

Pro získání zápočtu se student účastní seminářů, dokumentuje výsledky měření, odevzdá protokol z jedné laboratorní úlohy

Osnova přednášek:

1. Polovodičové diody.

2. Proudem řízené součástky.

3. Napěťove řízené součástky.

4. Spínací součástky tyristorového typu

5. Rychlé spínací a vysokofrekvenční součástky

6. Chlazení a proudová zatížitelnost součástek

7. Pasivní součástky rezistory

8. Pasivní součástky kondenzátory

9. Pasivní součástky indukčnosti a transformátory

10. Pasivní nelineární součástky

11. Obvody s rozloženými parametry

12. Součástky s rozloženými parametry, kabely a vedení

13. Elektromechanické součástky

14. Elektromagnetická kompatibilita ve výkonové elektronice

Osnova cvičení:

Výklad úloh

Teplotní závislost charakteristik výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT

Dynamické paramety polovodičových spínačů

Vliv zátěže na trajektorii pracovního bodu polovodičových spínačů

Výkonové zesilovače

Transientní tepelná impedance součástek a chladičů

Vlastnosti rezistorů a kondenzátorů při vysokých kmitočtech.

Vlastnosti VF cívek a transformátorů.

Obvody s rozloženými parametry

Přizpůsobení ve výkonových obvodech

Vysokofrekvenční a odrušovací filtry.

EMC - vyhodnocení rušení

Test

Zápočet

Cíle studia:

Studenti budou seznámeni s vlastnostmi záklasních elektronických součástek, jejich použitím v obvodech výkonové elektroniky

Studijní materiály:

Studijní literatura a studijní pomůcky

:

Benda, V., Papež, V. Komponenty výkonové elektroniky,Praha, ČVUT, 2006

Szendiuch, I.: Základy technologie mikroelektronických systémů, VUTIUM, Brno, 2006

Lutz J.et all: Semiconductor Power Devices: Physics, Charakteristics, Reliability, Springer 2011

Poznámka:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6l

Rozvrh na zimní semestr 2019/2020:
Rozvrh není připraven
Rozvrh na letní semestr 2019/2020:
06:00–08:0008:00–10:0010:00–12:0012:00–14:0014:00–16:0016:00–18:0018:00–20:0020:00–22:0022:00–24:00
Po
místnost T2:E1-2
Papež V.
14:30–16:00
(přednášková par. 1)
Dejvice haly
Laborator L2
místnost T2:G1-121
Papež V.
16:15–17:45
(přednášková par. 1)
Dejvice haly
Laborator 121
místnost T2:G1-121
Papež V.
18:00–19:30
(přednášková par. 1)
Dejvice haly
Laborator 121
Út
St
Čt

Předmět je součástí následujících studijních plánů:
Platnost dat k 7. 7. 2020
Aktualizace výše uvedených informací naleznete na adrese http://bilakniha.cvut.cz/cs/predmet4626606.html