Logo ČVUT
ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE
STUDIJNÍ PLÁNY
2019/2020

CAD a numerické metody v RF návrhu

Předmět není vypsán Nerozvrhuje se
Kód Zakončení Kredity Rozsah Jazyk výuky
A8M37CAD KZ 3 2P+0C česky
Přednášející:
Cvičící:
Předmět zajišťuje:
katedra radioelektroniky
Anotace:

Předmět seznámí studenty se základy počítačového návrhu vysokofrekvenčních a mikrovlnných obvodů a systémů.

Požadavky:
Osnova přednášek:

1. Úvod. Algoritmy, jejich podmíněnost a numerická stabilita.

2. Analýza lineárních obvodů - algoritmy vhodné pro obvody se soustředěnými/rozprostřenými parametry.

3. Citlivostní a toleranční analýza.

4. Metody ve frekvenční oblasti: Konečné diference, konečné prvky, Momentové metody

5. Metody v časové oblasti. FDTD, formulace, konvergence a stabilita, okrajové podmínky, numerická disperse.

6. Harmonická rovnováha a Volterrovy řady.

7. Modelování vf. prvků; model BJT (základní parametry, modifikovaný model Gummel-Poon, kvazisaturační

modelování vf. tranzistorů, modelování zpoždění v mikrovlnných prvcích).

8. Modely tranzistorů MOSFET (obecný semiempirický model, základní vlastnosti modelů BSIM a EKV pro

submikronové technologie, modely výkonových vf. prvků LDMOS)

9. Modely prvků JFET/MESFET/pHEMT/SiGe, (kmitočtová) disperze jejich parametrů a parametrů modelů

vedení

10. Analýza nelineárních obvodů, základní vlastnosti algoritmů řešení systémů nelineárních algebrodiferenciálních

rovnic, potlačení divergence.

11. Semisymbolická analýza, výpočet nul a pólů velkých soustav, využití řídkých matic, linearizace, užití

Volterrových řad pro návrh směšovače

12. Vícekriteriální optimalizace, využití citlivostní analýzy v časové i frekvenční oblasti k optimalizaci. Šumová

analýza s využitím citlivostní analýzy

13. Základy systémového návrhu a optimalizace.

14. Rezerva.

Osnova cvičení:
Cíle studia:
Studijní materiály:

1. T.A. Fjedly, T. Ytterdal, M. Shur, Introduction to Device Modeling and Circuit Simulation, John Wiley & Sons,

New York 1998.

2. Andrei Vladimirescu, The SPICE Book, Wiley 1993.

3. Y. Cheng and C. Hu, MOSFET Modeling & BSIM3 Users Guide, Kluwer Academic Publishers, Boston 1999.

4. S. Sedra, K. C. Smith: Microelectronic Circuits, Oxford University Press, 5th ed., 2003.

5. J. Dobeš, V. Žalud: Moderní radiotechnika, BEN - technická literatura, Praha 2006.

Poznámka:
Další informace:
Pro tento předmět se rozvrh nepřipravuje
Předmět je součástí následujících studijních plánů:
Platnost dat k 22. 9. 2019
Aktualizace výše uvedených informací naleznete na adrese http://bilakniha.cvut.cz/cs/predmet2696506.html