Logo ČVUT
ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE
STUDIJNÍ PLÁNY
2019/2020

Advanced Components of Power Electronic

Předmět není vypsán Nerozvrhuje se
Kód Zakončení Kredity Rozsah Jazyk výuky
AE0M13MKV Z,ZK 5 2P+2L
Přednášející:
Cvičící:
Předmět zajišťuje:
katedra elektrotechnologie
Anotace:

Power semiconductor device (diodes, BJTs, thyristors, MOSFETs and IGBTs) and integraed structures (modules). Structures, function, characteristics and parameters, conditions for reliable operation. Connection of devices in parallel and in series. Operating reliability of power components and equipments.

Výsledek studentské ankety předmětu je zde: http://www.fel.cvut.cz/anketa/aktualni/courses/AE0M13MKV

Požadavky:

A student has to obtain a credit before an examination

Osnova přednášek:

1. Introduction. Physics of basic structures

2. Materials for power devices (Si, SiC, GaN)

3. Power diodes (static and dynamic characteristics)

4. Schottky diodes and combined structures

5. Power transistors and thyristors

6. Modern thyristor type devices (GTO, IGCT, LTT)

7. Power MOSFETs (VDMOS, TMOS, SJMOS)

8. IGBTs. PT and NPT structures.

9. Devices for high frequency operation (LD MOS, HJT)

10.Power integration (PIC, IPM)

11.The cooling of power device.

12.Device encapsulations and heat sinks

13. Device connection in series and in parallel

14.Operating reliability of power devices and components

Osnova cvičení:

1.Introduction

2.The first group of laboratory tasks - theory and ezpalation

3.The sekond group of laboratory tasks - theory and explanation

4.The third group of laboratory tasks - theory and explanation

5.Measuring of temperature dependence of reverse characteristics of thyristors and diodes

6.Measuring of temperature dependence of forward characteristics of thyristors and diodes

7.Measuring of dynamic paprameters during diode reverse recovery process

8.Measuring of static characteristics of BJT, MOSFET a IGBT in dependence on temperature

9.Measuring og dynamec parameters of semiconductor switches

10.Meausring of the trajectory of the operating point during device switching

11.Measuring of pasive devioce parametrs

12.Measuring of transient thermal impedance

13.Materiále and construction of components - exhibition

14.Closing

Cíle studia:

Seznámit studenty se strukturou, funkcí, základními parametry moderních výkonových polovodičových součástek.

Studijní materiály:

1. Benda, V., Gowar, J., Grant, G. A. Power Semiconductor Devices.

Chichester: J.Wiley & Sons. 1999

2. Baliga, J. Power Semiconductor Devices. Boston: PWS Publishing

Company.1995

Poznámka:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6l

Další informace:
https://moodle.fel.cvut.cz/courses/AE0M13MKV
Pro tento předmět se rozvrh nepřipravuje
Předmět je součástí následujících studijních plánů:
Platnost dat k 18. 10. 2019
Aktualizace výše uvedených informací naleznete na adrese http://bilakniha.cvut.cz/cs/predmet12789604.html