Advanced Components of Power Electronic

Přednášející:

Vítězslav Benda (gar.), Václav Papež

Cvičící:

Vítězslav Benda (gar.), Filip Cingroš, Pavel Hrzina, Václav Papež

Předmět zajišťuje:

katedra elektrotechnologie

Anotace:

Power semiconductor device (diodes, BJTs, thyristors, MOSFETs and IGBTs) and integraed structures (modules). Structures, function, characteristics and parameters, conditions for reliable operation. Connection of devices in parallel and in series. Operating reliability of power components and equipments.

Požadavky:

A student has to obtain a credit before an examination

Osnova přednášek:

1. Introduction. Physics of basic structures

2. Materials for power devices (Si, SiC, GaN)

3. Power diodes (static and dynamic characteristics)

4. Schottky diodes and combined structures

5. Power transistors and thyristors

6. Modern thyristor type devices (GTO, IGCT, LTT)

7. Power MOSFETs (VDMOS, TMOS, SJMOS)

8. IGBTs. PT and NPT structures.

9. Devices for high frequency operation (LD MOS, HJT)

10.Power integration (PIC, IPM)

11.The cooling of power device.

12.Device encapsulations and heat sinks

13. Device connection in series and in parallel

14.Operating reliability of power devices and components

Osnova cvičení:

1.Introduction

2.The first group of laboratory tasks - theory and ezpalation

3.The sekond group of laboratory tasks - theory and explanation

4.The third group of laboratory tasks - theory and explanation

5.Measuring of temperature dependence of reverse characteristics of thyristors and diodes

6.Measuring of temperature dependence of forward characteristics of thyristors and diodes

7.Measuring of dynamic paprameters during diode reverse recovery process

8.Measuring of static characteristics of BJT, MOSFET a IGBT in dependence on temperature

9.Measuring og dynamec parameters of semiconductor switches

10.Meausring of the trajectory of the operating point during device switching

11.Measuring of pasive devioce parametrs

12.Measuring of transient thermal impedance

13.Materiále and construction of components - exhibition

14.Closing

Cíle studia:

Seznámit studenty se strukturou, funkcí, základními parametry moderních výkonových polovodičových součástek.

Studijní materiály:

1. Benda, V., Gowar, J., Grant, G. A. Power Semiconductor Devices.

Chichester: J.Wiley & Sons. 1999

2. Baliga, J. Power Semiconductor Devices. Boston: PWS Publishing

Company.1995

Poznámka:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6l

Rozvrh na zimní semestr 2011/2012:

Rozvrh není připraven

Rozvrh na letní semestr 2011/2012:

	06:00–08:0008:00–10:0010:00–12:0012:00–14:0014:00–16:0016:00–18:0018:00–20:0020:00–22:0022:00–24:00
Po
Út	místnost T2:E1-2 Benda V. 14:30–16:00 (přednášková par. 1) Dejvice haly Laborator L2místnost T2:E1-3c Papež V. 16:15–17:45 (přednášková par. 1 paralelka 1) Dejvice haly Laborator L3
St
Čt
Pá

Předmět je součástí následujících studijních plánů: