Logo ČVUT
Loading...
ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE
STUDIJNÍ PLÁNY
2011/2012

Mikrovlnné obvody a subsystémy

Přihlášení do KOSu pro zápis předmětu Zobrazit rozvrh
Kód Zakončení Kredity Rozsah Jazyk výuky
A2M17MOS Z,ZK 5 2+2c česky
Předmět je náhradou za:
Planární mikrovlnná technika (X17PME)
Přednášející:
Karel Hoffmann (gar.), Přemysl Hudec
Cvičící:
Karel Hoffmann (gar.), Přemysl Hudec, Ondřej Morávek
Předmět zajišťuje:
katedra elektromagnetického pole
Anotace:

Předmět poskytuje široké teoretické i praktické poznatky jak pro vědecko výzkumnou práci tak i pro profesionální praxi v oblasti vf. a mikrovlnné techniky. Seznamuje studenty s vysokofrekvenčními a mikrovlnnými pasivními a aktivními obvody realizovanými v planárních a monolitických strukturách - vedeními, směrovými členy, děliči, rezonančními obvody, filtry a CAD nástroji pro návrh vysokofrekvenčních a mikrovlnných obvodů. Dále jsou obsahem mikrovlnné tranzistory, bipolární, MESFET a HEMPT, nízkošumové, výkonové, úzkopásmové a širokopásmové zesilovače, mikrovlnné diodové a tranzistorové oscilátory, detektory, směšovače a frekvenční násobiče.

Požadavky:

Smithův diagram a impedanční přizpůsobování, vlastnosti elektromagnetické vlny na vedení, s-parametry

Ke zkoušce se lze přihlásit pouze s uděleným zápočtem.

Podmínkou udělení zápočtu je vypracování všech požadovaných projektů.

U zkoušky je požadovaná znalost odpřednášené látky. http://moodle.kme.fel.cvut.cz

Osnova přednášek:

1. Planární a monolitické technologie

2. Vedení v planárních a monolitických strukturách

3. Vázaná vedení a směrový vazební člen

4. Hybridní členy - Langeho, dvoj a trojpříčkový hybridní člen, kruhový, de Ronde

5. Děliče výkonu pro stejný a různý dělicí poměr

6. Mikrovlnné planární rezonanční obvody a filtry

7. Struktury tranzistorů bipolárních, MESFET a HEMPT, definice zisků, stabilita

8. Nízkošumové a výkonové zesilovače

9. Úzkopásmové a širokopásmové zesilovače

10. Parametry vf. nelineárních obvodů, šum, intermodulace, křížová modulace, komprese

11. Mikrovlnné diodové a tranzistorové oscilátory

12. Vf. a mikrovlnné detektory a směšovače

13. Diodové a tranzistorové násobiče kmitočtu, limitery

14.Mikrovlnné subsystémy komunikačních soustav

Osnova cvičení:

1.CAD nástroje, Microwave Office, simulace připojení konektoru na mikropáskové vedení

2. Projekt č. 1. Planární jednoduchá vedení

3. Projekt č. 2. Vázaná vedení, směrový vazební člen

4. Projekt č. 3. Hybridní členy

5. Projekt č. 4. Děliče výkonu

6. Projekt č. 5. Planární filtry I.

7. Projekt č. 6. Planární filtry II.

8. Projekt č. 7. Nízkošumový zesilovač

9. Projekt č. 8. Výkonový zesilovač

10. Projekt č. 9. Tranzistorový oscilátor

11. Projekt č. 10 Násobič kmitočtu

12. Práce na projektech

13. Práce na projektech

14. Práce na projektech, závěrečná kontrola

Cíle studia:

Předmět poskytuje široké teoretické i praktické poznatky jak pro vědecko výzkumnou práci tak i pro profesionální praxi v oblasti vf. a mikrovlnné techniky.

Studijní materiály:

Hoffmann K., Planární mikrovlnné obvody, skriptum ČVUT FEL

Hoffmann k., Hudec P., Sokol V., Aktivní mikrovlnné obvody, skriptum ČVUT FEL

Poznámka:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6c

Rozvrh na zimní semestr 2011/2012:
Rozvrh není připraven
Rozvrh na letní semestr 2011/2012:
06:00–08:0008:00–10:0010:00–12:0012:00–14:0014:00–16:0016:00–18:0018:00–20:0020:00–22:0022:00–24:00
Po
Út
místnost T2:C4-154
Hoffmann K.
Hudec P.

11:00–12:30
(přednášková par. 1)
Dejvice
Cvičebna
St
Čt
místnost T2:B2-823
Hoffmann K.
Hudec P.

11:00–12:30
(přednášková par. 1
paralelka 101)

Dejvice
Katedra 317, blok B2
místnost T2:B2-823
Hoffmann K.
Hudec P.

14:30–16:00
(přednášková par. 1
paralelka 102)

Dejvice
Katedra 317, blok B2
místnost T2:B2-823
Hoffmann K.
Morávek O.

16:15–17:45
(přednášková par. 1
paralelka 103)

Dejvice
Katedra 317, blok B2

Předmět je součástí následujících studijních plánů:
Platnost dat k 9. 7. 2012
Aktualizace výše uvedených informací naleznete na adrese http://bilakniha.cvut.cz/cs/predmet12528904.html