Fyzika polovodičů

Přednášející:

Vítězslav Benda (gar.)

Cvičící:

Vítězslav Benda (gar.)

Předmět zajišťuje:

katedra elektrotechnologie

Anotace:

Základní fyzikální model. Pohyb elektronů v krystalové mřížce, efektivní hmotnost, díry. Pásová struktura nejdůležitějších polovodičových materiálů. Poruchy krystalové mřížky. Rovnovážná koncentrace volných nosičů v závislosti na teplotě. Transportní jevy v polovodičích. Transportní jevy v přítomnosti gradientu teploty. Přenosové jevy v silných elektrických polích. Generace nerovnovážných nosičů náboje. Rekombinace nerovnovážných nosičů náboje. Difuze a drift nerovnovážných nosičů náboje. Nehomogenní polovodiče.Přechod PN a jeho vlastnosti. Kontakt polovodič-kov. Vliv povrchového náboje na pásovou strukturu. Amorfní, mikrokrystalické a monokrystalické polovodiče.

Požadavky:

Osnova přednášek:

Osnova cvičení:

Cíle studia:

Studijní materiály:

Smith. R.A., Semiconductors, Cambridge University Press, 1979,Benda, V. - Gowar, J. - Grant, D.: Power Semiconductor Devices. 1. ed. Chichester: John Wiley, 1999.

Poznámka:

Rozvrh na zimní semestr 2011/2012:

Rozvrh není připraven

Rozvrh na letní semestr 2011/2012:

Rozvrh není připraven

Předmět je součástí následujících studijních plánů:

• Doktorské studium, prezenční forma (povinně volitelný předmět)
• Doktorské studium, kombinovaná forma (povinně volitelný předmět)
• Doktorské studium, strukturované prezenční (povinně volitelný předmět)
• Doktorské studium, strukturované kombinované (povinně volitelný předmět)