Manufacturing of power systems 2
Kód | Zakončení | Kredity | Rozsah |
---|---|---|---|
E13VZ2 | Z,ZK | 6 | 3+2s |
- Přednášející:
- Cvičící:
- Předmět zajišťuje:
- katedra elektrotechnologie
- Anotace:
-
Předmět je zaměřen na problematiku montáže statických silnoproudých a polovodičových zařízení. Studenti se seznámí se strukturou, parametry a provozními podmínkami výkonových polovodičových součástek (diody, tyristory, GTO, IGBT, atd.). Setkají se zde také se způsoby odvodu ztrátového teplaa hlavními zásadami onstrukce výkonových polovodičových zařízení včetně problematiky EMC.
- Požadavky:
- Osnova přednášek:
-
1. Výkonová polovodičová zařízení - charakter výroby
2. Výkonové polovodičové součástky, konstrukce a technologie
3. Proudem řízené součástky (BJT, tyristory)
4. Moderní součástky tyristorového typu (GTO, LTT)
5. Napěťově řízené součástky (MOSFET, SIT)
6. Napěťově řízené bipolární součástky (IGBT, MCT)
7. Pouzdra součástek a jejich elektrické a tepelné parametry
8. Technologie výkonových polovodičových modulů
9. Chlazení a proudová zatížitelnost součástek
10. Technologie pasivních komponent výkonových zařízení
11. Technologie řídicích a pomocných obvodů
12. Technologie výkonových obvodů
13. Technologické aspekty plynoucí z požadavků na EMC
14. Provozní spolehlivost a diagnostika
- Osnova cvičení:
-
1. Organizační záležitosti, úvod do problematiky
2. Výklad prvního bloku laboratorních úloh
3. Měření teplotní závislosti závěrných charakteristik
4. Měření teplotní závislosti propustných parametrů
5. Měření teplotní závislosti spínacích parametrů
6. Měření teplotní závislosti charakteristik tranzistorů
7. Měření parametrů napájecích usměrňovačů
8. Výklad druhého bloku laboratorních úloh
9. Měření přepětí při závěrném zotavení diod
10. Měření vlivu zátěže na spínací parametry
11. Měření parametrů napěťového řízení IGBT
12. Měření frekvenční závislosti pasivních komponentů
13. Měření transientní tepelné impedance chladičů
14. Zápočet
- Cíle studia:
- Studijní materiály:
-
[1] Benda, V.: Výkonové polovodičové součástky a integrované struktury. Monografie ČVUT, Praha 1994
[2] Benda, V.: Silnoproudá zařízení polovodičová - laboratorní měření. Skripta ČVUT, Praha 1991
[3] Ramshaw, R.S.: Power Electronics Semicond. Switches. Chapman & Hall, 1993
- Poznámka:
- Další informace:
- Pro tento předmět se rozvrh nepřipravuje
- Předmět je součástí následujících studijních plánů: