Logo ČVUT
Loading...
ČESKÉ VYSOKÉ UČENÍ TECHNICKÉ V PRAZE
STUDIJNÍ PLÁNY
2011/2012

Struktury integrovaných obvodů

Předmět není vypsán Nerozvrhuje se
Kód Zakončení Kredity Rozsah Jazyk výuky
XD34SIO Z,ZK 5 14+4s česky
Přednášející:
Cvičící:
Předmět zajišťuje:
katedra mikroelektroniky
Anotace:

Hlavní smery vyvoje polovodicovych integrovanych struktur. Základní vlastnosti bipolárních a unipolárních struktur - pásové diagramy, C-U charakteristiky. Seznámení se základními funkcními strukturami a technologiemi integrovanych obvodu. Technologie NMOS a CMOS, topologie logickych hradel, návrhová pravidla. Parazitní struktury v IO, Latch-up. Problematika zmensování rozmeru integrovanych struktur. Základní stavební bloky analogovych CMOS integrovanych obvodu. Vlastnosti logickych hradel TTL, ECL, NMOS a CMOS. Pametové struktury. Struktury bipolárních IO, BiCMOS.

Požadavky:

http://www.micro.feld.cvut.cz/home/X34SIO

Osnova přednášek:

1. Historický přehled vývoje IO, metody návrhu.

2. Struktura MOS - pásové diagramy, vlastnosti rozhraní Si -SiO2, náboje ve struktuře, C-U charakteristiky.

3. MOST - prahové napětí, lineární a saturační oblast, modely.

4. Technologický proces výroby IO.

5. Technologický proces CMOS (NMOS, PMOS) a jeho varianty.

6. Ovládání vlastností CMOST, zabudovaný kanál, LDD struktura. Parazitní struktury, Latch-up.

7. Pasivní struktury v IO a jejich modely. Testovací struktury.

8. Návrh topologie, návrhová pravidla.

9. Zmenšování rozměrů funkčních struktur CMOS - Scaling, budoucnost integrace, submikronový CMOST.

10. Základní bloky analogových CMOS IO (Proudové zdroje, proudové a napěťové reference).

11. Základní bloky analogových CMOS IO (dif stupeň, aktivní zátěž, invertor).

12. Parametry logických hradel NMOS a CMOS. Ztrátový výkon log. hradla.

13. Paměťové struktury.

14. Struktury bipolárních IO, BiCMOS.

Osnova cvičení:

1. Úvod do práce v systému UNIX, operační systém SUN Solaris.

2. Návrhové prostředí CADENCE, knihovny technologií CMOS, SPICE modely.

3. Statické vlastnosti invertoru CMOS, obvodový simulátor, netlist.

4. Dynamické vlastnosti invertoru CMOS, transientní a AC analýza.

5. Návrhová pravidla, layout tranzistorů NMOS a PMOS.

6. Návrh topologie IO, hierarchie, zásady rozmisťování napájecích a datových cest.

7. Návrh proudového zdroje, proudové a napěťové reference.

8. Návrh diferenčního stupně.

9. Semestrální projekt - návrh jednoduchého analogového IO.

10. Semestrální projekt - návrh jednoduchého analogového IO.

11. Semestrální projekt - návrh jednoduchého analogového IO.

12. Semestrální projekt - návrh jednoduchého analogového IO.

13. Semestrální projekt - návrh jednoduchého analogového IO.

14. Předvedení semestrálního projektu, zápočet.

Cíle studia:
Studijní materiály:

1. Adamčík, I.: Struktury a technologie mikroelektroniky. Skripta ČVUT, Praha 1992

2. Pucknell, D., Eshraghian, K.: Basic VLSI Design. Prentice Hall, 1988

3. Weste, N., Eshraghian, K.: Principles of CMOS VLSI Design. Add.-Wesley, 1992

Poznámka:
Další informace:
Pro tento předmět se rozvrh nepřipravuje
Předmět je součástí následujících studijních plánů:
Platnost dat k 9. 7. 2012
Aktualizace výše uvedených informací naleznete na adrese http://bilakniha.cvut.cz/cs/predmet11658304.html