Aplikace nástrojů TCAD

Přednášející:

Cvičící:

Předmět zajišťuje:

katedra mikroelektroniky

Anotace:

Základy počítačem podporovaného technologického návrhu. Device simulátor ATLAS a Sentaurus: principy a aplikace. Základní rovnice, okrajové podmínky, numerické metody. Modely rekombinace, lavinové ionizace, pohyblivosti. Praktické aplikace na pracovních stanicích SUN podle zaměření disertačních prací.

Požadavky:

-

Osnova přednášek:

1. Základy počítačem podporovaného technologického návrhu

2. Simulátory technologií

3. Device simulator.

4. ATLAS: princip, aplikace

5. Základní rovnice

6. Okrajové podmínky

7. Numerické metody

8. Modely rekombinace

9. Modely lavinové ionizace

10. Modely pohyblivosti

11. Mixed-mode simulace.

12. Rovnice vedení tepla.

13. Příklady simulací.

14. Praktické aplikace na pracovních stanicích SUN podle

zaměření disertačních prací

Osnova cvičení:

Viz anotace.

Cíle studia:

Studijní materiály:

T. Mouthaan, Semiconductor Devices Explained, Wiley, 1999

Poznámka:

Rozvrh na zimní semestr 2011/2012:

Rozvrh není připraven

Rozvrh na letní semestr 2011/2012:

Rozvrh není připraven

Předmět je součástí následujících studijních plánů:

• Doktorské studium, prezenční forma (povinně volitelný předmět)
• Doktorské studium, kombinovaná forma (povinně volitelný předmět)
• Doktorské studium, strukturované prezenční (povinně volitelný předmět)
• Doktorské studium, strukturované kombinované (povinně volitelný předmět)