Moderní výkonové polovodičové součástky A INTEGROVANÉ OBVODY

Přednášející:

Jan Vobecký (gar.)

Cvičící:

Jan Vobecký (gar.)

Předmět zajišťuje:

katedra mikroelektroniky

Anotace:

Fyzikální a technologické principy, trendy vývoje. Parametry a aplikace. Struktury bipolární, MOS, BiMOS, diody (bipol., Schottkyho), tranzistory (bipol., MOS, IGBT), tyristory (vč. GTO, MCT). Sekundární průraz, mechanismus, mezní hodnoty parametrů. Smart-power a vysokonapěťové IO, činnost, principy, aplikace.

Požadavky:

-

Osnova přednášek:

1. Fyzikální a technologické struktury

2. Trendy vývoje

3. Parametry a aplikace

4. Struktury bipolární

5. Struktury MOS

6. Struktury BiMOS

7. Diody PN

8. Schottkyho diody

9. Bipolární tranzistory

10. Tranzistory MOS a IGBT

11. Tyristory (včetně GTO a GCT)

12. Sekundární průraz, mechanismus, bezpečná oblast

13. Smart power součástky

14. Vysokonapěťové IO, činnost, principy, aplikace

Osnova cvičení:

n

Cíle studia:

Studijní materiály:

B. J. Baliga, Power Semiconductor Devices, PWS Publishing Company, 2000

Poznámka:

Rozvrh na zimní semestr 2011/2012:

Rozvrh není připraven

Rozvrh na letní semestr 2011/2012:

Rozvrh není připraven

Předmět je součástí následujících studijních plánů:

• Doktorské studium, prezenční forma (povinně volitelný předmět)
• Doktorské studium, kombinovaná forma (povinně volitelný předmět)
• Doktorské studium, strukturované prezenční (povinně volitelný předmět)
• Doktorské studium, strukturované kombinované (povinně volitelný předmět)