Perspektivní elektronické součástky

Přednášející:

Lubor Jirásek (gar.)

Cvičící:

Lubor Jirásek (gar.)

Předmět zajišťuje:

katedra mikroelektroniky

Anotace:

Pásové inženýrství, kvantová jáma, drát, bod. Součástky pracující na principu 2D elektronového plynu (HEMT, MOD FET) a principu rezonančního tunelování dvojí bariérou (RTDB, RHET) jako paměti, generátory, násobiče atd. Heterogenní struktury, mikrovlnné součástky, HBT, Gunnovy diody. Kryotronické součástky. Záznamová média

Požadavky:

c

Osnova přednášek:

1. Pásové inženýrství

2. Kvantová jáma, drát, bod

3. Součástky na principu 2D elektronového plynu (HEMT, MOD FET)

4. Součástky na principu rezonančního tunelování dvojí bariérou

5. 3D struktury

6. Aplikace kvantových součástek (paměti, generátory, násobiče)

7. Heterogenní struktury

8. Mikrovlnné součástky HBT, Gunnovy diody

9. Aplikace mikrovlnných součástek

10. Heterogenní součástky s vnitřní optickou vazbou

11. Kryotronické součástky

12. Záznamová média

13. Trendy vývoje IO

14. Diskuse

Osnova cvičení:

n

Cíle studia:

Studijní materiály:

Fahrner, W. R. (ed.): Nanotechnology and Nanoelektronics: Materials, devices, measurement techniques. Springer, 2004. 269 p. ISBN: 3-540-22452-1

další dle doporučení přednášejícího

Poznámka:

Rozvrh na zimní semestr 2011/2012:

Rozvrh není připraven

Rozvrh na letní semestr 2011/2012:

Rozvrh není připraven

Předmět je součástí následujících studijních plánů:

• Doktorské studium, prezenční forma (povinně volitelný předmět)
• Doktorské studium, kombinovaná forma (povinně volitelný předmět)
• Doktorské studium, strukturované prezenční (povinně volitelný předmět)
• Doktorské studium, strukturované kombinované (povinně volitelný předmět)