Výroba silnoproudých zařízení 2

Přednášející:

Cvičící:

Předmět zajišťuje:

katedra elektrotechnologie

Anotace:

Předmět je zaměřen na problematiku montáže statických silnoproudých a polovodičových zařízení. Studenti se seznámí se strukturou, parametry a provozními podmínkami výkonových polovodičových součástek (diody, tyristory, GTO, IGBT, atd.). Setkají se zde také se způsoby odvodu ztrátového teplaa hlavními zásadami onstrukce výkonových polovodičových zařízení včetně problematiky EMC.

Požadavky:

Osnova přednášek:

1. Výkonová polovodičová zařízení - charakter výroby

2. Výkonové polovodičové součástky, konstrukce a technologie

3. Proudem řízené součástky (BJT, tyristory)

4. Moderní součástky tyristorového typu (GTO, LTT)

5. Napěťově řízené součástky (MOSFET, SIT)

6. Napěťově řízené bipolární součástky (IGBT, MCT)

7. Pouzdra součástek a jejich elektrické a tepelné parametry

8. Technologie výkonových polovodičových modulů

9. Chlazení a proudová zatížitelnost součástek

10. Technologie pasivních komponent výkonových zařízení

11. Technologie řídicích a pomocných obvodů

12. Technologie výkonových obvodů

13. Technologické aspekty plynoucí z požadavků na EMC

14. Provozní spolehlivost a diagnostika

Osnova cvičení:

1. Organizační záležitosti, úvod do problematiky

2. Výklad prvního bloku laboratorních úloh

3. Měření teplotní závislosti závěrných charakteristik

4. Měření teplotní závislosti propustných parametrů

5. Měření teplotní závislosti spínacích parametrů

6. Měření teplotní závislosti charakteristik tranzistorů

7. Měření parametrů napájecích usměrňovačů

8. Výklad druhého bloku laboratorních úloh

9. Měření přepětí při závěrném zotavení diod

10. Měření vlivu zátěže na spínací parametry

11. Měření parametrů napěťového řízení IGBT

12. Měření frekvenční závislosti pasivních komponentů

13. Měření transientní tepelné impedance chladičů

14. Zápočet

Cíle studia:

Studijní materiály:

[1] Benda, V.: Výkonové polovodičové součástky a integrované struktury. Monografie ČVUT, Praha 1994

[2] Benda, V.: Silnoproudá zařízení polovodičová - laboratorní měření. Skripta ČVUT, Praha 1991

[3] Ramshaw, R.S.: Power Electronics Semicond. Switches. Chapman & Hall, 1993

Poznámka:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 19+4

Typ cvičení: l

Předmět je nabízen také v anglické verzi.

Další informace:

Pro tento předmět se rozvrh nepřipravuje

Předmět je součástí následujících studijních plánů:

• Silnoproudá elektrotechnika-bakalářský blok (povinný předmět)
• Silnoproudá elektrotechnika-bakalářský blok (povinný předmět)